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跟雙極性晶體管相比,一般認為使MOS管導通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。因此很多人忽視了mos管的驅(qū)動,今天半導體廠家—廣州飛虹跟大家談談關于mos管驅(qū)動的那些事。
在MOS管的結構中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動,實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流,因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路,所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是,普遍用于高端驅(qū)動的NMOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里,mos管要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵,要注意的是應該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓,設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高,導通速度越快,導通電阻也越小。現(xiàn)在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里,mos管但在12V汽車電子系統(tǒng)里,一般4V導通就夠用了。
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今天給大家分享的mos管驅(qū)動知識你看懂了嗎?想要了解關于mos管等半導體知識,歡迎繼續(xù)關注留意我們哦。
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