隨著電子科技技術(shù)的發(fā)展，MOS管被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。對(duì)于行業(yè)人士來(lái)說(shuō)，只要接觸電子電路設(shè)計(jì)，就必然需要接觸MOS管。而在MOS管的使用過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)一種常見(jiàn)的作用現(xiàn)象——米勒效應(yīng)，它一般會(huì)出現(xiàn)在MOS管的開(kāi)通器件之中。而且，在MOS管中，門極和漏極間還會(huì)存在米勒電容。

那么，什么是米勒電容呢？米勒電容并非指存在MOS管中的電容，它是由MOSFET棚漏極間的電容反映到輸入的等效電容。根據(jù)米勒定理可以得知，這個(gè)等效電容比棚漏間的實(shí)際電容要大許多，隨增益變化，而由該效應(yīng)所形成的等效電容稱為米勒電容。

當(dāng)遇到MOS管出現(xiàn)米勒電容，MOS管廠從而影響整體的開(kāi)啟時(shí)間時(shí)，有相關(guān)人士會(huì)考慮在柵極和源極間并聯(lián)一個(gè)小電容。但根據(jù)米勒定力，在棚源極間并聯(lián)一個(gè)電容對(duì)減小米勒電容于事無(wú)補(bǔ)，反之更會(huì)降低MOSFET的開(kāi)啟速度，增加開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間。

因此，針對(duì)這一現(xiàn)象，我們應(yīng)如何正確地處理呢？根據(jù)工程師的經(jīng)驗(yàn)之談，MOS管廠正確的處理方式是在關(guān)斷感性負(fù)載時(shí)，如果驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻不夠小，可以在MOS的GS間并聯(lián)一個(gè)適當(dāng)?shù)碾娙?，而不是并?lián)一個(gè)越小越好的電容。這樣做可以防止關(guān)斷時(shí)因米勒電容影響出現(xiàn)的漏極電壓塌陷。

而在測(cè)試的過(guò)程中，一旦遇到米勒效應(yīng)電容問(wèn)題，首先要依據(jù)查詢數(shù)據(jù)手冊(cè)進(jìn)行計(jì)算，在估算出電容數(shù)值后選取適當(dāng)電容進(jìn)行電路系統(tǒng)修改調(diào)整。

廣州飛虹MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應(yīng)管、三極管等半導(dǎo)體器件，專注大功率MOS管制造15年，咨詢熱線： 400-831-6077。