MOS管導(dǎo)通電阻一般用于分壓及盡快泄放攔擊電荷，避免出現(xiàn)全橋短路的情況。而在使用過(guò)程中，高壓MOS管的導(dǎo)通電阻都是決定耗散功率的重要參數(shù)，所以應(yīng)用好MOS管導(dǎo)通作用能夠提升設(shè)備效率。今天，為了大家能夠更好的應(yīng)用MOS管，飛虹MOS管廠家分享一下該怎么降低高壓MOS管的導(dǎo)通電阻。

降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的原理與方法

1.不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻則是總導(dǎo)通電阻的96.5%。

可以推斷耐壓800V的MOS管的導(dǎo)通電阻將幾乎被外延層電阻占據(jù)。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規(guī)高壓MOS管結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的高導(dǎo)通電阻的根本原因。

2.降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的思路。增加管芯面積雖能降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價(jià)是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流以上兩種辦法不能降低高壓MOS管的導(dǎo)通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導(dǎo)電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除導(dǎo)通時(shí)低摻雜的高耐壓外延層對(duì)導(dǎo)通電阻只能起增大作用外并無(wú)其他用途。

可以將導(dǎo)電通道以高摻雜較低電阻率實(shí)現(xiàn)，而在MOS管關(guān)斷時(shí)，mos場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)法使這個(gè)通道以某種方式夾斷，使整個(gè)器件耐壓僅取決于低摻雜的N-外延層。內(nèi)建橫向電場(chǎng)的高壓MOS管的剖面結(jié)構(gòu)及高阻斷電壓低導(dǎo)通電阻的示意圖如圖所示。

當(dāng)VGS＜VTH時(shí)，由于被電場(chǎng)反型而產(chǎn)生的N型導(dǎo)電溝道不能形成，并且D，S間加正電壓，使MOS管內(nèi)部PN結(jié)反偏形成耗盡層，并將垂直導(dǎo)電的N區(qū)耗盡。這個(gè)耗盡層具有縱向高阻斷電壓，如圖（b）所示，mos場(chǎng)效應(yīng)管這時(shí)器件的耐壓取決于P與N-的耐壓。因此N-的低摻雜、高電阻率是必需的。

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